IXFH150N17T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
325
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
120
V GS = 10V
8V
7V
300
275
250
225
V GS = 10V
8V
7V
100
200
80
60
6V
175
150
125
6V
100
40
75
20
0
5V
50
25
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 75A Value
vs. Junction Temperature
140
120
100
80
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.4
2.0
1.6
V GS = 10V
I D = 150A
I D = 75A
60
40
20
0
5V
1.2
0.8
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 75A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.5
3.0
V GS = 10V
15V
----
T J = 175oC
80
70
60
External Lead Current Limit
2.5
2.0
50
40
30
1.5
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFH15N100P MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
IXFH15N80 MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
IXFH160N15T2 MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH160N15T MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH16N90Q MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
IXFH20N100P MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
IXFH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXFH22N55 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXFH150N17T2 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
IXFH150N20T 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N100 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH15N100P 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N100Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N60 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube